Автор РИД: Третьяков Никита Николаевич

Изобретение относится к области изготовления наноструктур, а именно к синтезу оксидных пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников класса АB, и может быть применено при формировании элементов электроники на поверхности полупроводников, в высокочастотных полевых транзисторах и...