Автор РИД: Журавлева Любовь Михайловна

Изобретение относится к области производства полупроводниковых материалов, используемых в наноэлектронике. Техническим результатом изобретения является достижение определенной концентрации изотопа углерода С, что обеспечит открытие запрещенной зоны в десятки мэВ. В способе изготовления...