Автор РИД: Зайцев Сергей Николаевич

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) на основе гетероструктур соединений AB. Способ включает операцию облучения пластин с гетероструктурами интегральным потоком...