Автор РИД: Воронов Сергей Александрович

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления оксидного слоя, являющегося основным структурным элементом интегральных схем на основе МОП-транзисторов. Изобретение обеспечивает возможность получения пленок диоксида кремния, обладающих повышенным...