×

Автор РИД: Кудрявцев Игорь Евгеньевич

Показаны записи 1-1 из 1.
20.10.2014
№216.012.fff5

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления

Группа изобретений относится к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых приборов. Техническим результатом является обеспечение высокой температурной стабильности сопротивления, повышение максимально допустимой температуры резистора (до +260°C) и рабочего импульсного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531381
Дата охранного документа: 20.10.2014
+ добавить свой РИД