×

Автор РИД: Липкин Михаил Семенович

Показаны записи 1-4 из 4.
06.06.2023
№223.018.7862

Способ получения композиционных материалов на основе вторичного полиэтилентерефталата и хелатных комплексов эрбия

Изобретение относится к области переработки отходов полимеров, в частности, получению композиционных материалов с применением вторичного сырья - полиэтилентерефталата и может быть использовано в различных отраслях промышленности в качестве конструкционных материалов. Способ получения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773845
Дата охранного документа: 14.06.2022
26.08.2017
№217.015.e70e

Устройство для измерения коррозии трубопроводов

Изобретение относится к области мониторинга коррозии и может быть использовано в нефте- и газотранспортных системах, а также теплосетях. Заявленное устройство для измерения коррозии трубопроводов, содержащее крышку, уплотняющую прокладку и пластину-свидетель, при этом в крышке закреплен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627283
Дата охранного документа: 04.08.2017
10.03.2015
№216.013.2f7e

Способ утилизации активного материала оксидно-никелевого электрода никель-кадмиевого аккумулятора

Изобретение относится к утилизации активного материала оксидно-никелевого электрода никель-кадмиевого аккумулятора. Для этого проводят растворение активной массы в 1M растворе хлорида аммония. Затем осуществляют электролиз раствора с титановым виброкатодом и графитовым анодом в режиме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002543626
Дата охранного документа: 10.03.2015
20.10.2014
№216.012.ff53

Раствор для химического осаждения композиционных никель-фосфорных покрытий

Изобретение относится к области нанесения композиционных никель-фосфорных покрытий на стальные детали методом химического осаждения. Раствор содержит, г/л: никеля дихлорид 10-15, янтарная кислота 12-15, натрия фторид 2-3, натрия гидроксид 4-6, натрия гипофосфит 17-20, интеркалированный медью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531219
Дата охранного документа: 20.10.2014
+ добавить свой РИД