Автор РИД: Некоркин Сергей Михайлович

Использование: для получения диодных лазеров с малой расходимостью излучения, выполненных на основе полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямами. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает возбуждение носителей по крайней мере в одной квантовой яме в активной области,...

Изобретение относится к квантовой электронике. Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и...

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в...