×

Автор РИД: ЧОЙ Генри Квонг-Хин (US)

Показаны записи 1-1 из 1.
20.07.2014
№216.012.e287

Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523777
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД