×

Автор РИД: Рогов Владимир Всеволодович

Показаны записи 1-1 из 1.
20.07.2014
№216.012.de60

Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода и его структура

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522714
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД