×

Автор РИД: Рамазанов Гусейн Муфтялиевич

Показаны записи 1-1 из 1.
27.06.2014
№216.012.d844

Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521142
Дата охранного документа: 27.06.2014
+ добавить свой РИД