Автор РИД: Гриценко Владимир Алексеевич

Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя...

Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом. На указанном проводящем электроде выполнен активный слой из диэлектрика. Второй проводящий электрод расположен на активном слое. Проводящий...

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти. Флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на...