×

Автор РИД: Антонова Ирина Вениаминовна

Показаны записи 1-4 из 4.
25.08.2017
№217.015.cb29

Способ изготовления суспензии для 2d печати диэлектрических слоев на основе фторографена

Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620123
Дата охранного документа: 23.05.2017
13.01.2017
№217.015.854e

Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти

Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603160
Дата охранного документа: 20.11.2016
10.01.2015
№216.013.19d4

Способ получения приборных графеновых структур

Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538040
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.04.2014
№216.012.b349

Способ получения слоя фторографена

Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511613
Дата охранного документа: 10.04.2014
+ добавить свой РИД