×

Автор РИД: Шишков Дмитрий Владимирович

Показаны записи 1-2 из 2.
10.04.2014
№216.012.b0d1

Активный фазовращатель (варианты)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - повышение надежности устройства. Активный фазовращатель, выполненный на полупроводниковых приборах на основе SiGe и включающий широкополосный квадратурный полифазный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510980
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.02.2014
№216.012.a3be

Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксиальных структур и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из нелегированного кремния, субколлекторный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507633
Дата охранного документа: 20.02.2014
+ добавить свой РИД