×

Автор РИД: Васильев Дмитрий Вячеславович

Показаны записи 1-5 из 5.
13.01.2017
№217.015.82a6

Магниторезистивный элемент

Использование: для использования в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля, электрического тока, контроля перемещения и угла поворота объекта. Сущность изобретения заключается в том, что магниторезистивный элемент содержит участки магниторезистивной пленки в форме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601360
Дата охранного документа: 10.11.2016
10.11.2015
№216.013.8ebb

Магниторезистивный преобразователь

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568148
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2014
№216.013.1140

Способ определения оптимальной скорости резания

Изобретение относится к области обработки металлов резанием, в частности к способу определения оптимальной скорости резания при обработке жаропрочных сплавов на никелевой основе для твердосплавного инструмента. По результатам кратковременных испытаний определяют температуру резания, при которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535839
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.10.2014
№216.012.ffc8

Режущая пластина для черновой и чистовой обработки

Изобретение относится к области обработки материалов резанием, сборному режущему инструменту с механическим креплением многогранных режущих пластин, предназначенному для черновой и чистовой обработки. Режущая многогранная пластина, выполненная на основе равностороннего многогранника, с главной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531336
Дата охранного документа: 20.10.2014
10.02.2014
№216.012.9ffe

Способ изготовления высокочувствительного сенсора "магниторезистивная головка-градиометр"

Изобретение относится к области магнитных датчиков на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Способ согласно изобретению включает окисление кремниевой подложки 1, формирование диэлектрического слоя 2, формирование магниторезистивной структуры, содержащей верхний 3 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506666
Дата охранного документа: 10.02.2014
+ добавить свой РИД