×

Автор РИД: Васильев Владислав Юрьевич

Показаны записи 1-6 из 6.
12.01.2017
№217.015.5fd6

Фотоэлектрический сенсор давления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидкостей и газов. Фотоэлектрический сенсор давления содержит упругий элемент в виде основного профилированного кремниевого кристалла с опорной рамкой, измерительной квадратной диафрагмой с жестким...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590315
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.5ca0

Амплитудный волоконно-оптический сенсор давления

Изобретение относится к области сенсорной электроники и может быть использовано для измерения параметров технологических сред, в медицине. Заявленный амплитудный волоконно-оптический сенсор давления содержит кремниевый мембранный упругий элемент с жестким центром, оптическое волокно, передающее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589946
Дата охранного документа: 10.07.2016
27.01.2016
№216.014.bd69

Амплитудный волоконно-оптический сенсор давления

Изобретение относится в области сенсорной электроники и может быть использовано для измерения параметров технологических сред, в медицине. Амплитудный волоконно-оптический сенсор давления содержит кремниевый мембранный упругий элемент с жестким центром, оптическое волокно, закрепленное на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573708
Дата охранного документа: 27.01.2016
20.11.2015
№216.013.8f6e

Способ получения слоя диоксида кремния

Изобретение относится к микроэлектронике. В способе получения слоя диоксида кремния, включающем загрузку полупроводниковой подложки в реактор, нагрев полупроводниковой подложки до необходимой температуры в диапазоне 400-750°С, введение окислителя закиси азота и моносилана и поддержание давления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568334
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.09.2014
№216.012.f3f7

Способ получения слоя диоксида кремния

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. В способе получения слоя диоксида кремния, включающем загрузку полупроводниковой подложки в реактор, нагрев полупроводниковой подложки до необходимой температуры в диапазоне 300-500°C, подачу паров алкоксисилана, преимущественно -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528278
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.02.2014
№216.012.9f89

Резонансный сенсор давления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидкости и газов. Резонансный сенсор давления содержит измерительную мембрану с возбуждающим электродом и резонансной полостью, к краям которой с двух сторон жестко закреплен резонансный элемент в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506549
Дата охранного документа: 10.02.2014
+ добавить свой РИД