×

Автор РИД: Небольсин Валерий Александрович

Показаны записи 1-8 из 8.
25.08.2017
№217.015.bf45

Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов путем выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК). Способ включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617166
Дата охранного документа: 21.04.2017
27.11.2015
№216.013.9429

Способ получения массивов углеродных нанотрубок с управляемой поверхностной плотностью

Изобретение может быть использовано при изготовлении сорбентов и армирующих добавок. Сначала подготавливают ростовую подложку путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель коллоидного раствора, находящегося под воздействием ультразвука. Во время...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569548
Дата охранного документа: 27.11.2015
27.11.2015
№216.013.942c

Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области создания микроструктурных элементов электронных устройств. Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569551
Дата охранного документа: 27.11.2015
10.11.2015
№216.013.8f00

Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку ростовой кремниевой подложки путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568217
Дата охранного документа: 10.11.2015
27.12.2014
№216.013.15b9

Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и предназначено для управляемого выращивания нитевидных кристаллов полупроводников. Способ включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536985
Дата охранного документа: 27.12.2014
20.08.2014
№216.012.eb62

Способ получения нитевидных нанокристаллов полупроводников

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526066
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.06.2014
№216.012.cbb9

Полупроводниковый фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую энергию. Область применения - возобновляемые источники энергии. Согласно изобретению в полупроводниковом ФП, состоящем из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517924
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.01.2014
№216.012.9be3

Способ электрохимического извлечения свинца из свинцово-кислотных отходов аккумуляторных батарей

Изобретение относится к способу извлечения свинца из отходов аккумуляторных батарей. Способ включает электролитическое осаждение свинца из щелочных растворов на асимметричном импульсном токе с варьированием периодической последовательности пакетов положительных n+ и отрицательных n- импульсов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505613
Дата охранного документа: 27.01.2014
+ добавить свой РИД