×

Автор РИД: Игошина Светлана Евгеньевна

Показаны записи 1-8 из 8.
26.08.2017
№217.015.e8b6

Способ получения фотокатализатора на основе механоактивированного порошка оксида цинка

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам получения фотокатализаторов для разложения веществ, загрязняющих воздух и воду, и может быть использовано в химической, фармацевтической и биосинтетической промышленности. Способ заключается в том, что порошок ZnO подвергают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627496
Дата охранного документа: 08.08.2017
26.08.2017
№217.015.dee0

Способ получения нанолитографических рисунков с фрактальной структурой со сверхразвитой поверхностью

Использование: для получения нанолитографических рисунков с фрактальной структурой со сверхразвитой поверхностью. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в том, что с помощью метода локального анодного окисления путем приложения напряжения между перемещающимся зондом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624983
Дата охранного документа: 11.07.2017
25.08.2017
№217.015.bad6

Способ неинвазивной экспресс-диагностики диабета второго типа методом ик-спектроскопии

Изобретение относится к медицине, в частности эндокринологии, и может быть использовано для неинвазивной экспресс-диагностики диабета второго типа. Проводят забор слюны человека. С помощью метода ИК-Фурье спектроскопии записывают ИК-спектры полос поглощения подсушенного при 20°С материала. При...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615722
Дата охранного документа: 07.04.2017
25.08.2017
№217.015.b075

Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров. Предложен способ изготовления газовых сенсоров, содержащих корпус, установленную в нем на основании двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, точечные контакты, соединенные с выводами корпуса,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613488
Дата охранного документа: 16.03.2017
13.01.2017
№217.015.8484

Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе

Изобретение относится к датчикам давления разреженного газа, а также к способам изготовления таких датчиков. Способ изготовления датчиков давления включает образование гетероструктуры, формирование в ней тонкопленочного полупроводникового резистора, имеющего вид сетчатой наноструктуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602999
Дата охранного документа: 20.11.2016
10.07.2015
№216.013.5d96

Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555499
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.11.2014
№216.013.0406

Способ изготовления газового сенсора с наноструктурой и газовый сенсор на его основе

Изобретение относится к изготовлению газовых сенсоров, предназначенных для детектирования различных газов. Предложен способ изготовления газового сенсора, в котором образуют гетероструктуру из различных материалов, в ней формируют газочувствительный слой, после чего ее закрепляют в корпусе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532428
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.12.2013
№216.012.91a7

Способ определения концентрации и среднего размера наночастиц в золе

Заявляемый способ может найти применение при создании и производстве наноструктурированных пленок из пленкообразующих золей для газочувствительных сенсоров. Способ заключается в том, что изготавливают эталонные образцы с заданной начальной концентрацией наночастиц. Записывают инфракрасные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002502980
Дата охранного документа: 27.12.2013
+ добавить свой РИД