Автор РИД: Луцев Леонид Владимирович

Изобретение относится к наноэлектронике, в частности к полевым транзисторам, содержащим ячейку флэш-памяти под затвором. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры, содержит сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал,...

Изобретения относятся к области радиопоглощающих материалов. Способ получения радиопоглощающего покрытия включает послойное нанесение на подложку слоев радиопоглощающего материала, содержащего 20-70 масс.% смеси микрошариков, изготовленных из природного граната по плазменной технологии, и...