×

Автор РИД: Пронь Наталья Петровна

Показаны записи 1-1 из 1.
10.11.2013
№216.012.8006

Способ изготовления мдп нанотранзистора с локальным участком захороненного изолятора

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем различного назначения. Технический результат изобретения - технологический процесс, позволяющий создавать МДП-нанотранзисторы без использования литографии высокого разрешения с максимальным подавлением короткоканальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498447
Дата охранного документа: 10.11.2013
+ добавить свой РИД