Автор РИД: Лютцау Александр Всеволодович

Изобретение относится к методам измерения для прогнозирования ресурса деталей на этапе их изготовления и эксплуатации. Способ оценки остаточного ресурса металлических деталей с любым исходным уровнем остаточных сжимающих и растягивающих напряжений, эксплуатируемых в условиях усталостного...

Использование: для исследования нанометрических несовершенств монокристаллических полупроводниковых пластин и гетероструктур, а также диэлектрических подложек. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение угла дифракции от исследуемой плоскости с помощью рентгеновской...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского...