×

Автор РИД: Шретер Юрий Георгиевич

Показаны записи 1-7 из 7.
29.06.2019
№219.017.a15f

Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)

Изобретение относится к области лазерной обработки твердых материалов, в частности к способу отделения поверхностных слоев полупроводниковых кристаллов с помощью лазерного излучения. Способ лазерного отделения основан на использовании селективного легирования подложки и эпитаксиальной пленки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002469433
Дата охранного документа: 10.12.2012
20.03.2019
№219.016.e909

Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами

Настоящее изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов третьей группы Периодической системы химических элементов. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит подложку, буферный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002434315
Дата охранного документа: 20.11.2011
20.03.2016
№216.014.cd14

Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии

Полупроводниковое светоизлучающее устройство белого цвета содержит оптически прозрачный корпус с нанесенным на стенках люминофором. Внутри корпуса установлены лазерные диоды, имеющие ось симметрии. Причем лазерные диоды расположены последовательно на оси симметрии светоизлучающего устройства...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577787
Дата охранного документа: 20.03.2016
10.04.2015
№216.013.3c0a

Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)

Изобретение относится к технологии кристаллических полупроводниковых структур. В способе изготовления отделяемых тонких эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов с полупроводниковыми приборными структурами подготавливают поверхность базовой полупроводниковой подложки к гомоэпитаксии,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546858
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.02.2015
№216.013.2de0

Способ выращивания эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы на ростовой подложке

Изобретение относится к области технологии получения твердых кристаллических материалов методом газофазной эпитаксии. При выращивании эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы 3 на ростовой подложке 1 используют полиморфный углеродный буферный слой 4, расположенный между подложкой 1 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002543212
Дата охранного документа: 27.02.2015
27.02.2015
№216.013.2de3

Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре

Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре с оптически ослабленной границей. Предлагаемый способ основан на использовании лазерного излучения с длиной волны и мощностью,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002543215
Дата охранного документа: 27.02.2015
27.09.2013
№216.012.70af

Светоизлучающее полупроводниковое устройство

Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494498
Дата охранного документа: 27.09.2013
+ добавить свой РИД