×

Автор РИД: Ельников Дмитрий Сергеевич

Показаны записи 1-6 из 6.
25.08.2017
№217.015.c284

Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений

Изобретение может быть использовано в современных системах дальнометрии, управления неподвижными и движущимися объектами, зондирования облачности, контроля рельефа местности и т.д. Интегральная схема быстродействующего матричного приемника оптических излучений содержит электрическую схему,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617881
Дата охранного документа: 28.04.2017
25.08.2017
№217.015.a6f8

Преобразователь оптических и радиационных излучений и способ его изготовления

Настоящее изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию и может быть использовано во взрывоопасных помещениях - шахтах, в беспилотных летательных аппаратах, ночных индикаторах, сенсорах, расположенных в труднодоступных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608311
Дата охранного документа: 17.01.2017
25.08.2017
№217.015.a67a

Конструкция монолитного кремниевого фотоэлектрического преобразователя и способ ее изготовления

Изобретение относится к области многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), применяемых для солнечных батарей и фотоприемников космического и иного назначения. Монолитный кремниевый фотоэлектрический преобразователь содержит диодные ячейки с расположенными в них перпендикулярно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608302
Дата охранного документа: 17.01.2017
10.06.2016
№216.015.481e

Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и биполярным интегральным схемам. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия, уменьшение энергетических потерь при переключении, упрощение технологии изготовления. Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585880
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.08.2014
№216.012.e70c

Способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных мощных ДМОП транзисторов, КМОП интегральных схем, ПЗС-приборов. Способ включает операцию термического отжига МОП структур в температурном диапазоне от 600-850°С в электрическом поле...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524941
Дата охранного документа: 10.08.2014
27.09.2013
№216.012.70ae

Моп диодная ячейка монолитного детектора излучений

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений содержит МОП транзистор, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания и выходную шину, при этом для повышения качества детектирования,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494497
Дата охранного документа: 27.09.2013
+ добавить свой РИД