Автор РИД: НИСИКИ Хирохико (JP)

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую...

Изобретение относится к способам изготовления подложек со структурой тонкопленочных транзисторов для применения в панелях отображений. Сущность изобретения: способ изготовления подложки со структурой тонкопленочных транзисторов предусматривает этап, на котором формируют электрод затвора и...