Автор РИД: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН)

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии подложку кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум и проводят термоэлектрический отжиг,...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем обработки оптической информации. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения содержит многоканальную систему считывания в...

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя...

Изобретение относится к оптико-электронным системам формирования и обработки инфракрасных изображений для компенсации дефектных фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемных устройств (ФПУ). Техническим результатом является снижение аппаратных затрат на реализацию компенсации дефектных ФЧЭ,...

Изобретение относится к технологиям изготовления полупроводниковых приборов, в частности каталитически активных слоев, и может быть использовано для получения гетероструктур микро- и наноэлектроники, высокоэффективных катализаторов с развитой высокопористой поверхностью носителя, а также для...

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений АВ. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений AB содержит полупроводниковую подложку АВ, расположенный на ее рабочей...

Изобретение может использоваться в тепловизионных приборах, в которых актуальна задача коррекции тепловизионного изображения, связанная с компенсацией постоянной составляющей сигнала фоточувствительных элементов. Оптическая система для тепловизионных приборов содержит оптические компоненты,...

Система содержит оптическую систему, матричное фотоприемное устройство, блок электронной обработки, управления, синхронизации и дальнометрирования, лазер импульсный, систему, коллимирующую лазерное излучение, телевизионный монитор и блок питания. Оптическая система формирует изображение...

Изобретение относится к технике формирования изображений в тепловизионных системах, работающих в ИК-диапазонах спектра, и предназначено для обработки сигналов фотоприемников. Техническим результатом является расширение арсенала технических возможностей. Результат достигается тем, что сигналы с...