×

Автор РИД: Задиранов Юрий Михайлович

Показаны записи 1-5 из 5.
10.09.2014
№216.012.f3f6

Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528277
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.04.2014
№216.012.af7e

Фильтр спектральный очистки для эуф-нанолитографа и способ его изготовления

Изобретение относится к фильтру спектральной очистки для ЭУФ-нанолитографа с экстремальным ультрафиолетовым излучением с пропусканием 30-70% на длине волны 13,4 нм. Фильтр представляет собой многослойную пленку, нанесенную на высоко прозрачную поддерживающую сетку с ячейками, изготовленную из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510641
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.09.2013
№216.012.6d4f

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493634
Дата охранного документа: 20.09.2013
10.09.2013
№216.012.691c

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Способ также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492555
Дата охранного документа: 10.09.2013
20.06.2013
№216.012.4e4e

Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485628
Дата охранного документа: 20.06.2013
+ добавить свой РИД