Автор РИД: Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран"

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на поверхности пластины n-GaAs, имеющей легированный слой, с...

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени получения тонкопленочного медно-германиевого соединения. Сущность изобретения: способ...

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным печатным антеннам СВЧ диапазона, и может найти применение в системах связи, радиодефектоскопии, радиомониторинге и других системах. Техническим результатом изобретения является создание широкополосной планарной...

Изобретение относится к области активной радиолокации и может быть использовано при проектировании и создании цифровых широкополосных речных и морских радиолокационных систем. Технический результат заключается в упрощении технологической настройки, и, как следствие, в снижении себестоимости при...

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на...

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к устройствам для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем на полупроводниковых или диэлектрических пластинах. В устройстве согласно изобретению коаксиальный разъем с помощью гермоввода соединен с...

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Способ включает химическую...

Способ может быть использован в аппаратуре базовых станций на базе стандарта 802.16, например в системе mobile WiMAX, а также в других беспроводных телекоммуникационных системах, использующих OFDM сигналы. Технический результат заключается в повышении точности оценки сдвига несущей частоты. Для...

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиотехнических системах, работающих с сигналами с множеством несущих. Технический результат заключается в снижении пик-фактора сигнала и увеличении отношения сигнал/шум при его формировании при заданном количестве уровней...

Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам. В полупроводниковом диоде на полупроводниковой GaAs подложке расположены катодный слой, обедненный слой, барьерный слой, обедненный узкозонный слой, анодный узкозоный слой, анодный слой. Металлизированный катодный контакт с...