×

Автор РИД: Сафаралиев Гаджимет Керимович

Показаны записи 1-1 из 1.
20.05.2013
№216.012.4113

Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (sic)(aln)

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)(AlN), где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002482229
Дата охранного документа: 20.05.2013
+ добавить свой РИД