×

Автор РИД: Рамазанов Шихгасан Муфтялиевич

Показаны записи 1-2 из 2.
27.06.2014
№216.012.d844

Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521142
Дата охранного документа: 27.06.2014
20.05.2013
№216.012.4113

Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора (sic)(aln)

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)(AlN), где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002482229
Дата охранного документа: 20.05.2013
+ добавить свой РИД