Автор РИД: Чиванова Лариса Юльевна

Изобретение относится к получению композиционных материалов на основе эпоксидных и эпоксифенольных смол, применяемых в электротехнической и электронной промышленности для герметизации интегральных микросхем. Композиция включает связующее - орто-крезолноволачную эпоксидную смолу с температурой...

Изобретение относится к получению композиционных материалов на основе эпоксидных и эпоксифенольных смол, применяемых в электротехнической и электронной промышленности для герметизации интегральных микросхем. Полимерная композиция включает 27,3-28,1 мас.% связующего - орто-крезолноволачной...

Изобретение относится к светотехнике, в частности к полимерным люминесцентным композициям, применяемым для изготовления устройств общего и местного освещения. Полимерная композиция, возбуждаемая синим светодиодом, содержит прозрачный поликарбонат с показателем текучести расплава 6-40 г/10 мин,...

Изобретение может быть использовано в электротехнической и электронной промышленности для герметизации интегральных микросхем. Прессматериал для герметизации интегральных микросхем включает связующее - о-крезолноволачная эпоксидная смола с температурой размягчения 50-65°C, отвердитель - эфир...

Изобретение может быть использовано в фотометрических устройствах для обеспечения диффузного отражения регистрируемого излучения, внутреннего покрытия интегральных фотометров и т.п. Способ включает формирование отражателя на основе органического пластического материала и неорганического...

Изобретение относится к производству полимерной ленты из вторичного полиэтилентерефталата, пригодной для использования в качестве бордюрной ленты как основы при производстве бесшовной объемной георешетки и т.п. Согласно способу получения полимерной ленты аморфно-кристаллические отходы...

Изобретение относится к производству полимерной ленты из вторичного полиэтилентерефталата, пригодной для использования в качестве бордюрной ленты, как основы при производстве бесшовной объемной георешетки и т.п. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение прочности на...