×

Автор РИД: Каминский Владимир Васильевич

Показаны записи 1-7 из 7.
26.08.2017
№217.015.ed00

Способ изготовления термоэлектрического генератора

Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам на основе полупроводниковых структур. Сущность: способ изготовления термоэлектрического генератора включает выкалывание из слитка сульфида самария SmS плоскопараллельной пластины (3), нанесение самария (2) на поверхность первого плоского...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628677
Дата охранного документа: 21.08.2017
26.08.2017
№217.015.d9de

Полупроводниковый датчик метана

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания довзрывных концентраций метана в атмосферном воздухе, и может быть использовано в угольной, металлургической, коксохимической и атомной промышленности, а...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623658
Дата охранного документа: 28.06.2017
27.11.2015
№216.013.9410

Способ получения полупроводникового материала на основе моносульфида самария

Изобретение относится к технологии синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано при массовом производстве тензочувствительных материалов на основе сульфида самария (SmS). Для синтеза материала состава SmS, где 0≤x≤0,17, берут в измельченном виде SmS и Sm в мольном соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569523
Дата охранного документа: 27.11.2015
10.10.2015
№216.013.814d

Тензорезистор на основе сульфида самария

Использование: для изготовления датчиков деформации, силы, давления, перемещения, вибрации. Сущность изобретения заключается в том, что тензорезистор включает диэлектрическую подложку с нанесенной тензочувствительной пленкой из SmEuS, где 0,22≤x≤0,5. Технический результат: обеспечение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002564698
Дата охранного документа: 10.10.2015
10.04.2015
№216.013.3c01

Полупроводниковый датчик кислорода

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Газовый датчик согласно изобретению содержит диэлектрическую подложку с нанесенным слоем полупроводникового материала толщиной от 0,07 мкм до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546849
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.04.2015
№216.013.40be

Термоэлектрический генератор на основе сульфида самария, легированного атомами семейства лантаноидов, и способ его изготовления (варианты)

Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую с помощью полупроводниковых термоэлектрических генераторов. Сущность: термоэлектрический генератор содержит по крайней мере один слой полупроводникового материала SmLnS на основе сульфида самария, легированного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548062
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.05.2013
№216.012.3ee6

Наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в качестве чувствительного элемента в датчиках механических величин (силы, давления, веса, перемещения и т.д.). Предлагаемый тензорезистор содержит полимерную подложку 1, разделительную диэлектрическую пленку 2, например,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002481669
Дата охранного документа: 10.05.2013
+ добавить свой РИД