Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения. Во всех перечисленных случаях...

Изобретение может быть использовано в системах очистки воды/воздуха/продуктов, системах химического анализа, медицине, УФ спектрометрии, системах скрытой помехоустойчивой оптической связи и др. Источник спонтанного ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 250 нм включает подложку (1)...

Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа,...

Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей...

Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей...

Изобретение относится к области анализа материалов с помощью оптических средств, а более конкретно - к устройствам для определения изменений в жидкой среде путем измерения ее оптических параметров, и может быть использовано в диагностике патологий живых организмов, состояния природных объектов...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1),...

Изобретение относится к способу формирования каталитического слоя твердополимерного топливного элемента. Согласно изобретению способ включает обработку углеродных нановолокон в растворе сильной неорганической кислоты, отфильтровывание обработанных углеродных нановолокон, их промывку и сушку,...

Изобретение относится к оптоэлектронике и фотоэнергетике и может быть использовано для создания оптоволоконных систем передачи энергии по лазерному лучу. Заявленный оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения включает оптически последовательно соединенные лазер,...

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа измерения магнитного поля. Способ включает воздействие на кристалл карбида кремния, содержащего спиновые центры с основным квадруплетным спиновым состоянием, сфокусированным лазерным излучением, перестраиваемым по частоте...