×

Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Показаны записи 91-100 из 115.
20.11.2015
№216.013.92aa

Тонкопленочный солнечный элемент

Тонкопленочный солнечный элемент содержит светопрозрачную подложку (1), на которую последовательно нанесены светопрозрачная электропроводящая пленка (2), p-слой (3) из микрокристаллического гидрогенизированного кремния в виде твердого раствора SiC:H, где 0,7<х<0,95, с оптической шириной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569164
Дата охранного документа: 20.11.2015
27.08.2015
№216.013.7491

Способ модификации поверхности пористого кремния

Изобретение относится к области химической модификации поверхности пористого кремния и, в частности, может найти применение для создания биосовместимого и способного к полной биодеградации носителя медицинских препаратов, обеспечивающего их целевую доставку и пролонгированное действие в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561416
Дата охранного документа: 27.08.2015
20.08.2015
№216.013.7371

Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ик области спектра

Изобретение относится к композиционным материалам, поглощающим инфракрасное излучение в ближней инфракрасной области, и может быть использовано, например, в оптических фильтрах и специальных панелях сложной формы. Композиционный материал включает переплетенные базальтовые волокна с диаметром от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561123
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.07.2015
№216.013.64d4

Лазер-тиристор

Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557359
Дата охранного документа: 20.07.2015
20.04.2015
№216.013.42cf

Способ рентгеноспектрального определения размеров наночастиц в образце

Использование: для рентгеноспектрального определения размеров наночастиц в образце. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют последовательное облучение в режиме прохождения и в режиме отражения исследуемой области образца пучками монохроматизированных рентгеновских лучей с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548601
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.04.2015
№216.013.3c9c

Способ изготовления фотопреобразователя на основе gaas

Изобретение относится к области изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, позволяющих преобразовывать мощное узкополосное излучение в электрическую энергию для энергоснабжения наземных и космических объектов. Способ изготовления фотопреобразователя на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547004
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.02.2015
№216.013.224c

Инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением

Использование: для управления лазерным излучением. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением на основе гетероструктуры содержит первый оптический Фабри-Перо резонатор, ограниченный с одной стороны первым отражателем, с другой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540233
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.01.2015
№216.013.1d6b

Способ получения платинусодержащих катализаторов на наноуглеродных носителях

Изобретение относится к области водородной энергетики, а именно к разработке катализаторов для воздушно-водородных топливных элементов (ВВТЭ), в которых в качестве катализаторов можно использовать платинированные углеродные материалы. Способ получения платинусодержащих катализаторов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538959
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.01.2015
№216.013.1dfa

Многопереходный солнечный элемент

Многопереходный солнечный элемент содержит подложку p-Ge (1), в которой создан нижний p-n переход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-GaInP, буферный слой (4) n-GaInAs, нижний туннельный диод (5), средний p-n переход (6), содержащий слой тыльного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539102
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.09.2014
№216.012.f3f6

Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры galnp/galnas/ge

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528277
Дата охранного документа: 10.09.2014
+ добавить свой РИД