Автор РИД: ДЭВИД Орельен Дж. Ф. (US)

Изобретение относится к оптоэлектронике. Согласно изобретению поверхности в структуре светоизлучающего прибора, на которой выращивают слой с ослабленными механическими напряжениями, придают такую форму, чтобы обеспечить возможность разрастания слоя с ослабленными механическими напряжениями в...

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически...

Светоизлучающее устройство включает полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, и фотонный кристалл, сформированный внутри или на поверхности полупроводниковой структуры, керамический слой, который расположен на пути...