Автор РИД: Аракелян Сергей Мартиросович

Способ подавления спонтанной эмиссии квантовых излучателей в среде с диссипацией заключается в размещении излучателя в однородную диэлектрическую матрицу-носитель с комплексным показателем преломления. При этом подбирают параметры действительной и мнимой части показателя преломления...

Использование: для получения наноструктурированных металлуглеродных соединений. Сущность изобретения заключается в том, что коллоидный раствор золота, серебра смешивают с коллоидным раствором углерода (шунгита) в концентрации от 10 (углерод) : 1 (золото) : 1 (серебро) до 5 (углерод) : 3...

Изобретение относится к формированию износостойких покрытий из карбида титана на поверхности изделий из титана или его сплавов и может быть использовано для формирования покрытий на деталях и инструментах, работающих в условиях интенсивного износа, агрессивных сред и высоких температур. Способ...

Изобретение может быть использовано для получения материалов и элементов наноэлектроники, нанофотоники, газовых сенсоров и лазерных систем с ультракороткими импульсами излучения. Графен получают путем расслоения графита в жидком азоте. Поверхность графитовой мишени обрабатывают пучком...

Способ относится к генерации перепутанных поляритонов. Способ генерации перепутанных поляритонов заключается в том, что выбираются параметры схемы атомно-оптического взаимодействия в допированной среде и за счет внешнего оптического управления происходит генерации перепутанных поляритонов....

Заявлен способ обработки квантовой информации. В способе выбирают параметры рабочей среды и вид допирующего редкоземельного элемента. Фотоны в среде приобретают относительный нелинейный сдвиг фазы. Величиной сдвига управляют изменением настроек двух дополнительных полей оптической накачки. За...

Изобретение относится к области нанотехнологии, в частности, может быть использовано в химической промышленности, электронике, медицине, машиностроении для изготовления пластмасс, компонентов топливных ячеек, аккумуляторов, суперконденсаторов, дисплеев, источников электронов, материалов для...