×

Автор РИД: Кукушкин Владимир Алексеевич

Показаны записи 1-3 из 3.
17.02.2018
№218.016.2e1b

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002643694
Дата охранного документа: 05.02.2018
20.04.2016
№216.015.34ec

Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов. В полевом транзисторе на осажденной из газовой фазы алмазной пленке с дельта-допированным проводящим каналом, включающем недопированную алмазную подложку, осажденную на ней из газовой фазы алмазную пленку, состоящую из нанесенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581393
Дата охранного документа: 20.04.2016
27.03.2013
№216.012.31a1

Частотно-перестраиваемый источник когерентного излучения дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наногетероструктуре

Изобретение относится к генераторам квантового излучения. Частотно-перестраиваемый источник когерентного терагерцового и дальнего инфракрасного излучения выполнен на основе полупроводниковой наногетероструктуры и возбуждается импульсами среднего инфракрасного диапазона. Между источником...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478243
Дата охранного документа: 27.03.2013
+ добавить свой РИД