Автор РИД: Спирин Александр Владимирович

Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах состоит в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме. В качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты,...