×

Автор РИД: Глушко Андрей Александрович

Показаны записи 1-1 из 1.
20.03.2013
№216.012.3051

Транзистор со структурой металл-окисел-полупроводник на подложке кремний на изоляторе

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ). Технический результат изобретения заключается в уменьшении суммарной планарной площади...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477904
Дата охранного документа: 20.03.2013
+ добавить свой РИД