Автор РИД: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион"

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из...

Изобретение предназначено для испытания безотказности инфракрасных многоэлементных фотоприемных устройств (ИК МФПУ), в которых матрица фоточувствительных элементов установлена внутри герметизированного корпуса, стыкуется с мультиплексором или растром с помощью проводящих индиевых...

Изобретение относится к оптико-электронным системам формирования и обработки инфракрасных изображений, для которых актуальна задача устранения неоднородности фотоприемных устройств (ФПУ) по сигналам сцены, и может использоваться в тепловизионных системах со сканирующими ФПУ. Техническим...

Изобретения относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и могут использоваться для создания матричных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления матричного фотоприемника заключается в том, что фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС мультиплексора...

Изобретение относится к технологии изготовления матриц фоточувствительных элементов с p-n-переходами для микрофотоэлектроники инфракрасного диапазона. Способ изготовления матрицы фотодиодных элементов с n-р-переходами на основе теллурида кадмия-ртути включает пассивацию поверхности...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят...

Объектив может быть использован в тепловизионных, телевизионных и теплопеленгационных приборах. Объектив состоит из, как минимум, двух компонентов, каждый из которых содержит, как минимум, две склеенные линзы. В объективе используются оптические материалы с областью спектральной прозрачности не...

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам...

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП...

Изобретения относятся к фотоэлектронике и могут использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации слабого электромагнитного излучения инфракрасного диапазона. ИК-фотодиод с высоким отношением сигнал/шум, содержит сильнолегированный слой, прилегающий к прозрачной для...