×

Автор РИД: Добровольский Герман Игоревич

Показаны записи 1-1 из 1.
20.01.2013
№216.012.1cd5

Способ выращивания монокристалла кремния из расплава

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского. Способ включает подачу рабочего газа в камеру с последующей эвакуацией сформированного газового потока с парогазовой смесью, образованной над расплавом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472875
Дата охранного документа: 20.01.2013
+ добавить свой РИД