×

Автор РИД: Пинов Ахсарбек Борисович

Показаны записи 1-2 из 2.
20.02.2013
№216.012.26cb

Способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния. Способ включает приготовление парогазовой смеси (ПГС) из хлорсиланов и водорода в испарителе под давлением посредством барботажа водорода через слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475451
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.01.2013
№216.012.1cd5

Способ выращивания монокристалла кремния из расплава

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского. Способ включает подачу рабочего газа в камеру с последующей эвакуацией сформированного газового потока с парогазовой смесью, образованной над расплавом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472875
Дата охранного документа: 20.01.2013
+ добавить свой РИД