Автор РИД: Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб")

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p-типа проводимости, с...