Автор РИД: Войтович Виктор Евгеньевич (EE)

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p-типа проводимости, с...

Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа...

Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p-типа проводимости,...

Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в...