×

Автор РИД: Белозубова Нина Евгеньевна

Показаны записи 1-10 из 18.
13.01.2017
№217.015.8269

Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с мембраной, имеющей жёсткий центр

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для измерения давления жидких и газообразных сред в условиях воздействия нестационарных температур измеряемой среды. Термоустойчивый датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601613
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.7f3b

Способ изготовления высокостабильного тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601204
Дата охранного документа: 27.10.2016
20.08.2016
№216.015.4bb1

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления с высокой временной и температурной стабильностью на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594677
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.04.2016
№216.015.3659

Способ настройки термоустойчивого датчика давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы

Способ настройки термоустойчивого датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы относится к области измерительной техники и предназначен для измерения давления при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды. Способ заключается во введении в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581454
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.01.2016
№216.013.9fb5

Способ изготовления датчика давления повышенной стабильности на основе нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572527
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.04.2015
№216.013.400e

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС). Техническим результатом изобретения является повышение временной и температурной стабильности, ресурса, срока службы и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547886
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.03.2015
№216.013.3606

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545314
Дата охранного документа: 27.03.2015
10.01.2015
№216.013.179a

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Датчик давления предназначен для использования при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур окружающей и измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности датчика давления при воздействии повышенных виброускорений и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537470
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.09.2014
№216.012.f4f4

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока службы, уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528541
Дата охранного документа: 20.09.2014
20.07.2014
№216.012.de98

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522770
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД