×

Автор РИД: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток")

Показаны записи 31-40 из 63.
29.03.2019
№219.016.f58a

Двухканальный переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - уменьшение величины прямых потерь сигнала СВЧ в открытых каналах и увеличение ослабления сигнала СВЧ в закрытых каналах, уменьшение коэффициента стоячей волны напряжения на входе и двух выходах переключателя СВЧ, преимущественно в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002452062
Дата охранного документа: 27.05.2012
29.03.2019
№219.016.f39a

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шотки. Техническим результатом изобретения является снижение массогабаритных характеристик и уменьшение прямых потерь СВЧ-сигнала. Это достигается введением в одну из линий передачи на выходе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002306641
Дата охранного документа: 20.09.2007
29.03.2019
№219.016.f31f

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Переключатель СВЧ содержит соединение трех линий передач с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ-сигнала, две другие - для выхода. Линии передачи на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002335832
Дата охранного документа: 10.10.2008
29.03.2019
№219.016.f1b4

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Техническим результатом является возможность достижения нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения, снижение прямых потерь,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002311704
Дата охранного документа: 27.11.2007
29.03.2019
№219.016.f121

Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390875
Дата охранного документа: 27.05.2010
29.03.2019
№219.016.ef37

Металлизированная пластина алмаза и способ ее изготовления

Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой адгезии металла к алмазу. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285977
Дата охранного документа: 20.10.2006
29.03.2019
№219.016.ef30

Способ пайки алюминия и его сплавов

Изобретение может быть использовано при высокотемпературной пайке погружением в расплавленные соли пастообразными припоями системы алюминий-кремний эвтектического состава, преимущественно, при пайке прецизионных изделий СВЧ-техники с различной толщиной стенок. Порошкообразный припой - пасту...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285593
Дата охранного документа: 20.10.2006
20.03.2019
№219.016.e97d

Устройство для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. Устройство содержит вакуумную реакционную камеру, размещенный в камере электрически изолированный подложкодержатель в виде полой усеченной составной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002467093
Дата охранного документа: 20.11.2012
20.03.2019
№219.016.e3b8

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285976
Дата охранного документа: 20.10.2006
20.03.2019
№219.016.e379

Флюс для низкотемпературной пайки

Флюс может быть использован в производстве электронной и радиоэлектронной аппаратуры при сборке узлов и блоков на печатных платах и гибридных интегральных схем. Флюс содержит производную канифоли в виде резината щелочного металла и водорастворимый спирт или смесь водорастворимых спиртов при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002263569
Дата охранного документа: 10.11.2005
+ добавить свой РИД