Автор РИД: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток")

Изобретение относится к электронной технике. Технический результат изобретения - повышение выходной мощности и коэффициента полезного действия, повышение надежности, долговечности и технологичности. Предложен многосекционный коллектор электровакуумного прибора с рекуперацией, выполненный в виде...

Заявленное изобретение относится к измерению напряжений стенки в полом изделии. Способ определения окружных напряжений стенки в полом изделии основан на поляризационно-оптическом методе. При реализации способа просвечивают полое изделие, расположенное в иммерсионной жидкости, поляризованным...

Изобретение относится к области радиотехники. Техническим результатом является достижение линейного изменения фазы при изменении управляющего напряжения и снижение коэффициента отражения на входе и выходе фазовращателя СВЧ при сохранении его массогабаритных характеристик. Фазовращатель СВЧ...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат - упрощение конструкции и снижение массогабаритных характеристик путем сокращения числа источников постоянного управляющего напряжения при сохранении параметров...

Изобретение относится к электронной технике, а именно - к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Техническим результатом является упрощение конструкции и снижение массогабаритных характеристик путем сокращения числа источников постоянного управляющего напряжения. Аттенюатор СВЧ...

Изобретение относится к области металлургии, а именно к ферритовым материалам, используемым в технике СВЧ. Техническим результатом изобретения является снижение значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJ, повышение выхода годных невзаимных развязывающих СВЧ устройств...

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и...

Изобретение относится к электронной техники, в частности к изготовлению вакуум-плотных изделий из керамических материалов. Техническим результатом изобретения является повышение электрических и механических характеристик изделий. Способ изготовления вакуум-плотных изделий из керамического...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического...

Изобретение относится к технологии получения композиционных материалов на основе низкомолекулярных полимерных соединений, в частности к полимерным композициям для получения клеевого и поглощающего СВЧ-энергию покрытия и изделиям из них, и может быть использовано в химической, металлургической,...