×
25.08.2017
217.015.a116

Способ получения моноиодида индия высокой чистоты

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к неорганической химии и касается получения моноиодида индия высокой чистоты. Способ получения моноиодида индия высокой чистоты не требует исходных материалов высокой чистоты. Способ включает взаимодействие металлического индия, взятого с 10% стехиометрическим избытком, с йодом при атмосферном давлении в кварцевой установке при температуре 400±5°C с последующей очисткой синтезированного продукта ректификацией. Ректификацию проводят в атмосфере аргона в той же установке, в которой ведут синтез. Максимально возможный выход продукта составляет 85-88%. Изобретение позволяет упростить процесс получения моноиодида индия высокой чистоты, повысить производительность и обеспечить экологическую чистоту процесса. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 7 пр.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению моноиодида индия высокой чистоты, являющегося перспективным материалом для изготовления специальных металлогалогенных ламп без использования токсичной ртути, монокристаллических радиационных детекторов и в качестве катализатора в реакциях органического синтеза.

Моноиодид индия применяется в безртутных метало-галогенных лампах наряду с галогенидами Na, Tl, Се, Li, Sc, Sn и др. металлов (см. патенты: US №2002008055; G01N 21/31, 2002; US №2003015949, С04В 35/00, H01J 1/02, 2003; US №6005346, H01J 61/16, H01J 61/18, 1999; CN №101477934, H01J 61/22, 2009; RU №2416839, H01J 61/18, 2011; RU №2415492, H01J 61/18, 2011; RU №2376673, H01J 61/18, 2009; AC SU №1772841, H01J 61/18, 1975). Такие лампы имеют ряд существенных преимуществ перед обычными лампами накаливания - высокая световая отдача, близкий к дневному свету спектр оптического излучения, в 20 раз увеличенная яркость и т.д.

Кроме того, InI используется для низкотемпературных синтезов полупроводников, таких как InN (WuCh., LiT., LeiL., et. al. Indium nitride from indium iodide at low temperatures: synthesis and their optical properties // New J. Chem. 2005. V. 29. P. 1610-1615).

Широкое применение InI как катализатора в реакциях органического синтеза (Shen Z-L., Wang S-Y., Chok Y-K. et. al. Organoindium Reagents: The Preparation and Application in Organic Synthesis // Chem. Rev. 2013. V. 113. P. 271-401) основывается на способности индия образовывать суб-галогенидные кластеры (Green S.P., Jones С., Stasch A. "Dissolution" of Indium(I) Iodide: Synthesis and Structural Characterization of the Neutral Indium Sub-Halide Cluster Complex [In6I8(tmeda)4] // Angew. Chem. Int. Ed. 2007. V. 46. P. 8618-8621).

В последние годы активно исследуется возможность использования моноиодида индия в качестве материала для монокристаллических радиационных детекторов (Bhattacharya P., Groza М., Cui Y. et. al. Growth of InI single crystals for nuclear detection applications // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 1228-1232; Toshiyuki Onodera, Keitaro Hitomi, Tadayoshi Shoji. Fabrication of Indium Iodide X- and Gamma-Ray Detectors // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2006. V. 53. No 5. P. 3055-3059; Squillante M.R., Zhou C., Zhang J., Moy L.P. InI Nuclear Radiation Detectors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. V. 40. No 4. P. 364-366). Для получения монокристаллов оптического качества необходимо использование реактива высокой степени чистоты.

Известны способы получения моноиодида индия взаимодействием металлического индия с иодидом ртути или с трийодидом индия (Федоров П.И., Акчурин Р.Х. Индий. –М.: Наука, 2000). Недостатком первого способа является использование токсичной ртути и проведение сложного синтеза йодида ртути, кроме того, полученный продукт содержит следы йодида ртути. Второй способ осложнен получением чистого трийодида индия, который сильно гигроскопичен, что очень затрудняет как работу с ним, так и аппаратурное оформление процесса.

Известен способ получения моноиодида индия взаимодействием металлического индия с йодом. InI получали в ампуле диаметром 10 мм под аргоном, затем долго очищали продукт от избытка йода и других примесей. (Г. Брауэр Руководство по неорганическому синтезу. – М.: Мир, 1985, стр. 940-941). Для очистки моноиодида индия, полученного взаимодействием металлического индия с йодом, применяли метод сублимации в вакууме и получали небольшие пластинки монокристаллического InI (Ohno N., Fujita M., Nakai Y., Nakamura K. Reflection spectra of orthorhombic indium iodide // Solid State Commun. 1978. V. 28. P. 137-139). В работе не приведены сведения о содержании примесей и эффективности очистки. Недостатками сублимационной очистки являются высокая энергоемкость, низкий выход продукта, длительность процесса.

Для получения высокочистого моноиодида индия использовали кристаллофизическую очистку методом зонной плавки коммерческого реактива InI чистотой 99,999%. (Shah K.S., Bennett P., Moy L.P. et. al. Characterization of indium iodide detectors for scintillation studies // Nuclear Instr. and Methods in Phys. Res. A. 1996. V. 380. P. 215-219). Зонную плавку проводили в горизонтальной печи с компьютерным управлением, применяли 50 проходов зоны со скоростью 5 мм/час вдоль кварцевой ампулы с InI. В работе не приведены количественные характеристики эффективности очистки. Этот метод является трудоемким с низкой производительностью процесса.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ получения моноиодида индия высокой чистоты путем синтеза на границе раздела жидкий металлический индий/иодид аммония и последующей высокотемпературной ректификацией (Смирнов В.А., Маковей З.И. Получение монобромида и моноиодида индия высокой чистоты. «Высокочистые вещества», 1996, №1, С. 69-74). Синтез InI проводили в вертикальном кварцевом реакторе, который помещали в подвижную печь. В реактор помещали иодид аммония марки «ч.д.а», а на него слитки индия особой чистоты марки Ин-000 (содержание индия не менее 99,9995%, ГОСТ 10297-94). Металлический индий брали с 5%-ным избытком от стехиометрии. Загруженный реактор присоединяли к газоотводной системе. Выделяющийся в процессе синтеза аммиак поглощали в барботере соляной кислотой, а водород поджигали на выходе из системы. Полученный InI перегружали в кварцевую тарельчато-ситчатую ректификационную колонну диаметром 40 мм со щелевой перфорацией с 25 тарелками. Не указан выход продукта. По приведенным данным анализа содержания примесей в очищенном продукте методом масс-спектрометрии с ИСП невозможно оценить степень очистки методом ректификации по сравнению с исходным используемым индием марки Ин-000. Очень важным недостатком предлагаемого способа является выделение газообразных и взрывоопасных (водород) веществ при синтезе, кроме того, необходимость перегрузки продукта, поскольку используются разные аппараты для синтеза и ректификации.

При перегрузке продукта возможны дополнительные источники примесей из-за неизбежного контакта полупродукта с новыми поверхностями аппаратуры и атмосферой. Кроме того, перегрузка существенно увеличивает время проведения процесса, т.к. она выполняется только после полного охлаждения аппаратуры и материала.

Задачей настоящего изобретения является разработка способа получения моноиодида индия высокой чистоты из доступных веществ реактивной квалификации в одной установке, исключая выделение побочных газообразных и взрывоопасных веществ.

Для решения поставленной задачи предлагается новый способ получения моноиодида индия высокой чистоты, не требующий высокой чистоты исходных материалов, включающий взаимодействие металлического индия с йодом при атмосферном давлении в кварцевой установке при температуре 400±5°C с последующей очисткой синтезированного продукта ректификацией.

Предпочтительно при взаимодействии используют металлический индий марки Ин-0, взятый с 10% стехиометрическим избытком, и йод марки «ч.». 10% избыток индия обеспечивает стехиометрический состав получаемого моноиодида индия. Предлагаемый способ обеспечивает получение моноиодида индия высокой чистоты при использовании более дешевого исходного материала - индия низкой квалификации марки Ин-0, тогда как в прототипе используется высочистый индий марки Ин-000.

Предпочтительно ректификацию проводят в той же установке, в которой ведут синтез без перегрузки продукта. В прототипе синтез моноиодида индия проводили в вертикальном реакторе на установке типа СГМ, а высокотемпературную ректификацию в другой установке - ректификационной колонне конструкции Дмитриева B.C. При этом требовалась перегрузка синтезированного моноиодида индия из реактора установки синтеза в куб ректификационной колонны.

Предпочтительно ректификацию проводят в атмосфере инертного газа - аргона. Поскольку аргон самый доступный из тяжелых инертных газов, именно за счет своей тяжести достигает дна куба, а гелий быстро улетучивается.

Способ отличается от способа-прототипа используемыми реагентами: металлический индий любой чистоты, включая Ин-0 (содержание индия не менее 99,998%, ГОСТ 10297-94) и йод любой чистоты, включая марку «ч.», ГОСТ 4159-79, отсутствием выделения побочных газообразных и взрывоопасных веществ и условиями проведения процесса. Предлагаемый способ получения моноиодида индия высокой чистоты позволяет проводить процесс синтеза и ректификации в одной установке. Использование 10% избытка индия обеспечивает стехиометрический состав моноиодида индия. Использование менее 10% избытка приводит к образованию примеси трииодида индия (пример 6). При использовании более 10% избытка индий, не вступивший в реакцию и содержащийся в кубовом остатке, реагирует с кварцем, разрушая куб, поэтому установку невозможно использовать повторно (пример 7).

Заявленный технологический процесс подтвержден опытным путем.

Изобретение иллюстрируется следующими чертежами.

На Фиг. 1 приведена схема установки для синтеза и высокотемпературной ректификации моноиодида индия, где: 1 - вертикальная электропечь, 2 - кварцевый куб, 3 - электронагреватель ректификационной колонны, 4 - ректификационная тарельчатая кварцевая колонна, 5 - термопара, 6 - переточная кварцевая трубка, 7 - электронагреватель приемника, 8 - кварцевый приемник, 9 - кварцевый конденсатор паров, 10 - игольчатый кварцевый отборник.

На Фиг. 2, 3 и 4 представлены результаты рентгенофазового анализа (РФА) конечного продукта: Фиг. 2 - порошковая дифрактограмма продукта по примеру №1; Фиг. 3 - порошковая дифрактограмма продукта по примеру №2; Фиг. 4 - порошковая дифрактограмма продукта по примеру №3.

В таблице приведены сводные данные масс-спектрометрического анализа для различных конкретных примеров моноиодида индия, полученного в соответствии с заявленным способом. Для сравнения приведены результаты анализа очищенного моноиодида индия, полученного в прототипе, и химический состав исходного индия марок Ин-0, Ин-00, Ин-000 по ГОСТ 10297-94.

Из таблицы видно, что по предлагаемому способу получен моноиодид индия высокой чистоты. Ректификационная очистка InI является высокоэффективным процессом, достаточно эффективной от примесей Pb, Bi, Tl, Zn (на два порядка) и несколько менее эффективной от примесей Fe, Ni, Cu, Al, Bi. Заявленный способ обеспечивает получение моноиодида индия высокой чистоты с содержанием основного вещества не менее 99,9998%, что в 10 раз выше по сравнению с исходным индием марки Ин-0. Выход продукта составляет 85-88% от стехиометрии.

Пример №1

В куб 2 из кварцевого стекла (Фиг. 1) загрузили 400,0 г индия марки Ин-0 (что составляет 10% избытка от стехиометрии) и 401,9 г йода марки «ч.» и подключили аргон. Куб 2 с шихтой поместили в вертикальную печь 1 и нагрели до 395°. После двух часов выдержки при этой температуре нагрев куба 2 усилили, при этом температура в верхней части (измеряемая термопарой 5) ректификационной колонны 4 поднялась до 710°C. После работы ректификационной колонны 4 в безотборном режиме (на себя) в течение 1,3 часов начали отбор головной фракции, содержащей легколетучие примеси. Головная фракция составила 6% от стехиометрического количества индия. Отбор основной фракции занял 3,5 часа. Кубовый остаток, включая динамический захват материала в ректификационную колонну 4, составил 19% (от исходной загрузки). Прямой выход продукта составил 85% от стехиометрии. Согласно данным РФА (Фиг. 2) получен моноиодид индия с параметрами ромбической ячейки , , , что соответствует карточке №77-0129 базы данных JCPDS. Содержание примесей в InI приведено в таблице.

Пример №2

В куб 2 загрузили 650,0 г индия марки Ин-0 (что составляет 10% избытка от стехиометрии) и 652,3 г йода марки «ч.» и подключили аргон. Куб 2 с шихтой поместили в вертикальную печь 1 и нагрели до 400°C. После 2,5 часов выдержки при этой температуре продолжили нагревать куб 2, при этом температура в голове колонны 4 поднялась до 711°C. После работы колонны 4 в безотборном режиме в течение двух часов начали отбор головной фракции. Головная фракция составила 5% от стехиометрического количества индия. Отбор основной фракции занял 4 часа. Кубовый остаток, включая динамический захват материала в колонну 4, составил 17% (от исходной загрузки). Прямой выход продукта составил 88% от стехиометрии. Согласно данным РФА (Фиг. 3) получен моноиодид индия с параметрами ромбической ячейки , , . Содержание примесей в полученном InI приведено в таблице.

Пример №3

В куб 2 из кварцевого стекла (Фиг. 1) загрузили 400,0 г индия марки Ин-0 (что составляет 10% избытка от стехиометрии) и 401,9 г йода марки «ч.» и подключили аргон. Куб 2 с шихтой поместили в вертикальную печь 1 и нагрели до 405°C. Далее проводили процесс, как описано в примере №1. Головная фракция составила 5% от стехиометрического количества индия. Отбор основной фракции занял 3,5 часа. Кубовый остаток, включая динамический захват материала в ректификационную колонну 4, составил 19% (от исходной загрузки). Прямой выход продукта составил 86% от стехиометрии. Согласно данным РФА (Фиг. 4) получен моноиодид индия с параметрами ромбической ячейки , , . Содержание примесей в InI приведено в таблице.

Пример №4

В куб 2 загрузили 275,0 г индия марки Ин-0 (10% избытка от стехиометрии) и 276,4 г йода марки «ч.», подключили аргон, поместили куб 2 с шихтой в вертикальную печь 1, нагрели до 350°C и выдержали при этой температуре в течение 1,5 часов. При дальнейшем подъеме температуры для проведения ректификации кипение и конденсации паров начались уже при 450°C, что соответствует образованию трииодида индия (InI3). Процесс остановили. Образование продукта требуемого стехиометрического состава легко контролируется по температуре кипения материала: для моноиодида индия она составляет 715°C, для трииодида - около 450°C, поэтому появление паров продукта в конденсаторе ректификационной колонны (9) при температуре около 450°C свидетельствует об образовании InI3.

Пример №5

В куб 2 загрузили 275,0 г индия марки Ин-0 (10% избытка от стехиометрии) и 276,4 г йода марки «ч.», подключили аргон, поместили куб 2 с шихтой в вертикальную печь 1, нагрели до 450°C, при этом унос йода составил более 50%. Далее процесс проводить было невозможно.

Пример №6

В куб 2 загрузили 262,5 г индия марки Ин-0 (5% избытка от стехиометрии) и 276,4 г йода марки «ч.» и проводили процесс, как описано в примере №1. В процессе ректификации наблюдалось образование трииодида индия (InI3). Процесс остановили.

Пример №7

В куб 2 загрузили 300,0 г индия марки Ин-0 (20% избытка от стехиометрии) и 276,4 г йода марки «ч.» и проводили процесс, как описано в примере №1. Головная фракция составила 4,1%, основная фракция (InI) - 88,2% от стехиометрии, кубовый остаток - 27,7% от исходной загрузки. Избыточный индий, не вступивший в реакцию и содержащийся в кубовом остатке, реагирует с кварцем, разрушая куб. Установку невозможно использовать повторно.

Техническим результатом изобретения дополнительно является повышение производительности и упрощение процесса получения моноиодида индия высокой чистоты без образования побочных продуктов, что подтверждается приведенными примерами.


Способ получения моноиодида индия высокой чистоты
Способ получения моноиодида индия высокой чистоты
Способ получения моноиодида индия высокой чистоты
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 17.
10.05.2013
№216.012.3db6

Способ антикоррозионной защиты металлических конструкций и крупногабаритного промышленного оборудования

Изобретение относится к способам антикоррозионной защиты металлических конструкций и крупногабаритного промышленного оборудования, эксплуатируемых в атмосферных условиях, путем нанесения на поверхность лакокрасочного покрытия. Предложен способ антикоррозионной защиты, заключающийся в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002481365
Дата охранного документа: 10.05.2013
10.06.2013
№216.012.48af

Лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно фторидной керамики, имеющей наноразмерную структуру и усовершенствованные оптические, лазерные и генерационные характеристики. Фторидную нанокерамику получают термомеханической обработкой исходного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484187
Дата охранного документа: 10.06.2013
10.12.2013
№216.012.8804

Способ получения порошков фторсульфидов редкоземельных элементов lnsf

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению порошков, которые могут применяться в лазерной технике и оптическом приборостроении. Способ получения порошков фторсульфидов редкоземельных элементов (РЗЭ) включает приготовление шихты и последующую ее термическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002500502
Дата охранного документа: 10.12.2013
20.04.2014
№216.012.bb20

Способ контроля уровня расположения поверхности жидких компонентов топлива в баках ракет-носителей и система для его осуществления

Изобретения относятся к области ракетно-космической техники и могут найти применение при осуществлении контроля уровня расположения поверхности жидких компонентов топлива в баках ракет-носителей. Технический результат - повышение точности контроля уровня заправки и энергетических характеристик...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513632
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.05.2014
№216.012.c2db

Способ получения оптической керамики

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно керамики на основе фторидов щелочноземельных и редкоземельных элементов, обладающих свойствами широкого спектра действия в виде лазерных и сцинтилляционных материалов. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515642
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.06.2014
№216.012.d041

Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения

Группа изобретений относится к области сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма-излучения, в приборах для быстрой диагностики в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях и высоких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519084
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.03.2015
№216.013.35fc

Способ получения порошка фторида бария, активированного фторидом церия, для сцинтилляционной керамики

Изобретение может быть использовано в производстве сцинтилляционной керамики с повышенным световыходом. Способ получения порошка фторида бария, активированного фторидом церия, включает взаимодействие раствора фторида аммония с раствором, содержащим нитрат бария и нитрат церия. Для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545304
Дата охранного документа: 27.03.2015
27.04.2015
№216.013.4689

Способ визуализации двухмикронного лазерного излучения в видимый свет

Изобретение относится к области оптики и касается способа визуализации двухмикронного лазерного излучения. Визуализация осуществляется путем облучения двухмикронным лазерным излучением образца, имеющего спектральную полосу поглощения, близкую к спектральной полосе лазерного излучения. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549561
Дата охранного документа: 27.04.2015
27.07.2015
№216.013.6747

Антиоксидантное средство с гепатопротекторным эффектом на основе наноструктурированного селена и способы его получения и применения

Изобретение относится к фармацевтической промышленности, а именно, к нанокомпозитам селена на основе природных гепатотропных галактозосодержащих полисахаридных матриц, представляющим собой водорастворимые порошки оранжево-красного цвета, содержащие наночастицы нуль-валентного селена (Se) с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557992
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6a0e

Способ изготовления футеровки разливочного ковша

Изобретение относится к области металлургии. В металлическом кожухе 2 монтируют футеровку 3, состоящую из огнеупорной кирпичной кладки и верхнего рабочего слоя 1, затем футеровку отжигают. На кирпичную кладку устанавливают сетчатый электрод 5, который используют в качестве анода, и наносят на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558703
Дата охранного документа: 10.08.2015
Показаны записи 1-10 из 28.
10.05.2013
№216.012.3db6

Способ антикоррозионной защиты металлических конструкций и крупногабаритного промышленного оборудования

Изобретение относится к способам антикоррозионной защиты металлических конструкций и крупногабаритного промышленного оборудования, эксплуатируемых в атмосферных условиях, путем нанесения на поверхность лакокрасочного покрытия. Предложен способ антикоррозионной защиты, заключающийся в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002481365
Дата охранного документа: 10.05.2013
10.06.2013
№216.012.48af

Лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно фторидной керамики, имеющей наноразмерную структуру и усовершенствованные оптические, лазерные и генерационные характеристики. Фторидную нанокерамику получают термомеханической обработкой исходного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484187
Дата охранного документа: 10.06.2013
10.12.2013
№216.012.8804

Способ получения порошков фторсульфидов редкоземельных элементов lnsf

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению порошков, которые могут применяться в лазерной технике и оптическом приборостроении. Способ получения порошков фторсульфидов редкоземельных элементов (РЗЭ) включает приготовление шихты и последующую ее термическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002500502
Дата охранного документа: 10.12.2013
20.04.2014
№216.012.bb20

Способ контроля уровня расположения поверхности жидких компонентов топлива в баках ракет-носителей и система для его осуществления

Изобретения относятся к области ракетно-космической техники и могут найти применение при осуществлении контроля уровня расположения поверхности жидких компонентов топлива в баках ракет-носителей. Технический результат - повышение точности контроля уровня заправки и энергетических характеристик...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513632
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.05.2014
№216.012.c2db

Способ получения оптической керамики

Изобретение относится к технологии получения оптических поликристаллических материалов, а именно керамики на основе фторидов щелочноземельных и редкоземельных элементов, обладающих свойствами широкого спектра действия в виде лазерных и сцинтилляционных материалов. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515642
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.06.2014
№216.012.d041

Кристаллический сцинтилляционный материал на основе фторида бария и способ его получения

Группа изобретений относится к области сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма-излучения, в приборах для быстрой диагностики в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях и высоких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519084
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.03.2015
№216.013.35fc

Способ получения порошка фторида бария, активированного фторидом церия, для сцинтилляционной керамики

Изобретение может быть использовано в производстве сцинтилляционной керамики с повышенным световыходом. Способ получения порошка фторида бария, активированного фторидом церия, включает взаимодействие раствора фторида аммония с раствором, содержащим нитрат бария и нитрат церия. Для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545304
Дата охранного документа: 27.03.2015
27.04.2015
№216.013.4689

Способ визуализации двухмикронного лазерного излучения в видимый свет

Изобретение относится к области оптики и касается способа визуализации двухмикронного лазерного излучения. Визуализация осуществляется путем облучения двухмикронным лазерным излучением образца, имеющего спектральную полосу поглощения, близкую к спектральной полосе лазерного излучения. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549561
Дата охранного документа: 27.04.2015
27.07.2015
№216.013.6747

Антиоксидантное средство с гепатопротекторным эффектом на основе наноструктурированного селена и способы его получения и применения

Изобретение относится к фармацевтической промышленности, а именно, к нанокомпозитам селена на основе природных гепатотропных галактозосодержащих полисахаридных матриц, представляющим собой водорастворимые порошки оранжево-красного цвета, содержащие наночастицы нуль-валентного селена (Se) с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557992
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6a0e

Способ изготовления футеровки разливочного ковша

Изобретение относится к области металлургии. В металлическом кожухе 2 монтируют футеровку 3, состоящую из огнеупорной кирпичной кладки и верхнего рабочего слоя 1, затем футеровку отжигают. На кирпичную кладку устанавливают сетчатый электрод 5, который используют в качестве анода, и наносят на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558703
Дата охранного документа: 10.08.2015
+ добавить свой РИД